Шаблон:Значения Шаблон:DRAM types
DDR3 SDRAM (Шаблон:Lang-en) — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM, увеличив размер предподкачки с 4 бит до 8 бит.[1][2]
У DDR3 уменьшено потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти.[3][4] Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонкого техпроцесса (в начале 90-нм, в дальнейшем 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).
Существует вариант памяти DDR3L (L означает Шаблон:Lang-en2) с ещё более низким напряжением питания, 1,35 В, что меньше традиционного для DDR3 на 10 %.[5]
В 2012 году было сообщено о выходе памяти DDR3L-RS для смартфонов.[6]
Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.
Шаблон:Нет АИ 2
Совместимость[]
Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 ни электрически, ни механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров.
В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.
Спецификации стандартов[]
Стандартное название | Частота памяти, МГц | Время цикла, нс | Частота шины, МГц | Эффективная (удвоенная) скорость, млн. передач/с | Название модуля | Пиковая скорость передачи данных при 64-битной шине данных в одноканальном режиме, МБ/с |
---|---|---|---|---|---|---|
DDR3‑800 | 100 | 10,00 | 400 | 800 | PC3‑6400 | 6400 |
DDR3‑1066 | 133 | 7,50 | 533 | 1066 | PC3‑8500 | 8533 |
DDR3‑1333 | 166 | 6,00 | 667 | 1333 | PC3‑10600 | 10667 |
DDR3‑1600 | 200 | 5,00 | 800 | 1600 | PC3‑12800 | 12800 |
DDR3‑1866 | 233 | 4,29 | 933 | 1866 | PC3‑14900 | 14933 |
DDR3‑2133 | 266 | 3,75 | 1066 | 2133 | PC3‑17000 | 17066 |
DDR3‑2400 | 300 | 3,33 | 1200 | 2400 | PC3‑19200 | 19200 |
Возможности DDR3[]
Возможности микросхем DDR3 SDRAM[]
- Предвыборка 8 слов на каждое обращение (Prefetch buffer)[7][8]
- Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
- Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
- Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
- Выполнение CAS Write Latency за такт
- Встроенная терминация данных
- Встроенная калибровка ввода-вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
- Автоматическая калибровка шины данных
Возможности модулей DIMM DDR3[]
- Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
- Высокоточные резисторы в цепях калибровки
Преимущества и недостатки[]
Преимущества по сравнению с DDR2[]
- Бо́льшая пропускная способность (до 19200 МБ/с)
- Меньшее энергопотребление.
Недостатки по сравнению с DDR2[]
- Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)
Производители микросхем памяти[]
В 2012—2013 годах более 10 % рынка поставок микросхем памяти DDR3 занимали[9][10]
- Samsung — около 40 %
- Hynix — 24 %
- Elpida (в 2013 году выкуплена компанией Micron Technology) — 12 %
- Micron — 12 %
Небольшую долю также имели тайваньские Nanya (Elixir, Nanya Technology Corporation) и Winbond.
См. также[]
- DDR2 SDRAM
- Двухканальный режим
- Трёхканальный режим
- DDR4 SDRAM
Примечания[]
- ↑ Шаблон:Cite news
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ Samsung First With Lower Cost, Power Saving 30nm DDR3 DRAM — PCWorld
- ↑ Samsung представляет первые в мире 30-нанометровые микрочипы DDR3 DRAM — Железо и гаджеты — Оперативная память — Компьюлента
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ Немного о себестоимости и другой пользе от внедрения DDR3L-RS // Overclockers.ru, 6.01.2013
- ↑ https://www.synopsys.com/Company/Publications/DWTB/Pages/dwtb-ddr4-bank-groups-2013Q2.aspx "When the original SDR (single data rate) SDRAM was introduced, there was no need for a prefetch. Every time a column cycle was executed, it accessed one word of data, and that was pushed out of the SDRAM. ... DDR3’s prefetch of eight"
- ↑ Шаблон:Cite web "используемые 200-МГц микросхемы должны передавать по 8 бит данных за каждый «свой» такт. Т.е. ширина внутренней шины данных микросхем памяти окажется уже в 8 раз больше по сравнению с шириной их внешней шины. Очевидно, такая схема передачи данных с рассмотренным преобразованием типа «8-1» будет называться схемой «8n-предвыборки» (8n-prefetch). "
- ↑ Шаблон:Cite news
- ↑ Шаблон:Cite news
Литература[]
Ссылки[]
- JEDEC
- Сергей Пахомов, Энциклопедия современной памяти // КомпьютерПресс 10’2006
- Шаблон:Cite news
- Шаблон:Cite web
- Как выбрать оперативную память DDR3?Шаблон:Ref-ru
Шаблон:DRAM